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スイッチングノイズ

 CMOS IC内のMOS FETは、内外の負荷容量を充放電しながらスイッチングする。そして、IC内のスイッチング動作回路の配線インピーダンスはLCR回路になる。スイッチング電流iはインダクタンス分のLを流れるため、シリコンチップ上の電源やGNDにスパイク電圧V=L(di/dt)が発生する。これをスイッチングノイズ(電源・グラウンドバウンス)という。

 特に、多数の出力が同時に変化するときは充放電電流が増え、スイッチングのイズが大きくなる。

参考文献

  • 『汎用ロジックIC』